[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810982114.9 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109360878B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 程丁;韦春余;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。N型GaN层与有源层之间设置有材料为掺杂Si的AlGaN层的电流扩展层。该电流扩展层中的Al组分沿电流扩展层的生长方向逐渐增加，电流扩展层的势垒逐渐升高，对进入有源层的电子起到一定的阻挡作用的同时，也便于电子进入电流扩展层，电流扩展层的势垒不会过高，起到有效扩展电流的同时而也不会影响进入有源层与空穴进行复合的电子数量。与之结合的电流扩展层中Si元素的掺杂浓度沿电流扩展层的生长方向逐渐增加，保证电流得到有效扩展的同时，同时增加电流扩展层在靠近有源层的一侧的电子数量，可提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、电流扩展层、有源层、电子阻挡层及P型GaN层，其特征在于，所述电流扩展层为掺杂Si的AlGaN层，所述电流阻挡层中Si元素的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向逐渐增加，所述电流扩展层中的Al组分的含量沿所述AlxGa1‑xN层的生长方向逐渐增加。
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