[发明专利]一种电阻可调的碳化硅陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201810982050.2 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN108911756A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡宁宁;邬国平;郭岱东;谢方民 | 申请（专利权）人： | 宁波伏尔肯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) 33261 | 代理人： | 骆文军 |
| 地址： | 315104 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻可调的碳化硅陶瓷及其制备方法，所述陶瓷材料主要包括主体相‑碳化硅相、烧结助剂相‑碳化硼及导电相‑碳相组成，所述陶瓷材料可实现其体电阻率在10‑2～108Ω·cm可控可调制备。所述碳化硅陶瓷的密度在3.00～3.20g/cm3。本发明核心在于在碳化硅原料粉体表面包覆一层石墨烯类材料，通过调节碳化硅陶瓷内导电相的含量，获得体电阻率可调的碳化硅陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅陶瓷 可调的 制备 陶瓷材料 体电阻率 导电相 电阻 石墨烯类材料 碳化硅原料 烧结助剂 体表面包 碳化硅 碳化硼 可调 可控 | ||
【主权项】：
1.一种电阻可调的碳化硅陶瓷，其特征在于：包括以下重量百分比的各组分：作为主体相的碳化硅相的含量为89.9～99.8wt％；作为烧结助剂相的碳化硼相的含量为0.1～1wt％；作为导电相的碳相的含量为0.1～10wt％；杂质的含量为0.01～0.1wt％；以上各组分重量之和为100％。
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