[发明专利]一种低氮含量SiC单晶生长装置及其应用在审
| 申请号： | 201810978541.X | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN108707966A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;徐现刚;彭燕;陈秀芳;杨祥龙 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 叶亚林 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低氮含量SiC单晶生长装置及其应用。本发明的生长装置，包括感应线圈、石英管和设置在石英管两端的上密封法兰、下密封法兰；石英管、上密封法兰和下密封法兰围成生长腔；所述感应线圈套设在石英管的外侧壁上；所述感应线圈的外侧套设有水冷罩；所述生长腔内设置有石墨托盘和石墨坩埚；石墨坩埚包裹保温材料后设置在石墨托盘上；所述石墨坩埚的顶部开口设置有坩埚密封盖。本发明的生长装置的单层石英管结构利于加速保温材料中氮的解吸附，可大幅度降低SiC单晶中氮的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 石英管 石墨坩埚 单晶生长装置 保温材料 上密封法兰 感应线圈 生长装置 石墨托盘 生长腔 下密封 低氮 法兰 顶部开口 坩埚密封 感应线 解吸附 水冷罩 外侧壁 单层 单晶 应用 圈套 | ||
【主权项】：
1.一种低氮含量SiC单晶生长装置，其特征在于，包括感应线圈、石英管和设置在石英管两端的上密封法兰、下密封法兰；石英管、上密封法兰和下密封法兰围成生长腔；所述感应线圈套设在石英管的外侧壁上；所述感应线圈的外侧套设有水冷罩；所述生长腔内设置有石墨托盘和石墨坩埚；石墨坩埚包裹保温材料后设置在石墨托盘上；所述石墨坩埚的顶部开口设置有坩埚密封盖。
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