[发明专利]一种抗大过载冲击的存储装置及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810974070.5 申请日: 2018-08-24
公开(公告)号: CN109065081B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 何琼;王鑫 申请(专利权)人: 湖北三江航天险峰电子信息有限公司
主分类号: G11B33/08 分类号: G11B33/08;G11B33/14
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人: 李佑宏
地址: 432100*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种抗大过载冲击的存储装置及其制备方法,该存储装置包括存储板、内壳体、第一灌封胶、第二灌封胶、外壳体、内盖板及外盖板,所述内壳体为中空壳体,其通过所述内盖板封盖后形成第一中空腔体,所述存储板容置于该第一中空腔体中,所述第一灌封胶体填充设置于该第一中空腔体中并充满该第一中空腔体剩余空隙,以将所述存储板包覆裹紧;所述外壳体为中空壳体,其通过所述外盖板封盖后形成第二中空腔体,包覆所述存储板的内壳体及内盖板整体容置于该第二中空腔体中,所述第二灌封胶填充设置于该第二中空腔体中并充满该第二中空腔体剩余空隙,以将所述内壳体及内盖板整体包覆裹紧,从而大幅度提高了存储装置的抗冲击性能,实现在高过载冲击环境中存储装置仍可保证存储数据的可靠性。
搜索关键词: 一种 抗大 过载 冲击 存储 装置 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种抗大过载冲击的存储装置,其特征在于,所述存储装置包括存储板、内壳体、第一灌封胶、第二灌封胶、外壳体、内盖板及外盖板,其中,存储板包括印制板,存储芯片焊接在该印制板,形成存储功能器件;所述内壳体为中空壳体,其通过所述内盖板封盖后形成第一中空腔体,所述存储板容置于该第一中空腔体中,所述第一灌封胶体填充设置于该第一中空腔体中并充满该第一中空腔体剩余空隙,以将所述存储板包覆裹紧;所述外壳体为中空壳体,其通过所述外盖板封盖后形成第二中空腔体,包覆所述存储板的内壳体及内盖板整体容置于该第二中空腔体中,所述第二灌封胶填充设置于该第二中空腔体中并充满该第二中空腔体剩余空隙,以将所述内壳体及内盖板整体包覆裹紧;且所述外盖板、内盖板以及所述内壳体对应位置处分别设置有开孔,用于所述存储功能器件线缆穿出。
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