[发明专利]用于ESD防护的高维持电流SCR器件有效

专利信息
申请号: 201810973512.4 申请日: 2018-08-24
公开(公告)号: CN109065537B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 乔明;肖家木;齐钊;梁龙飞;何林蓉;梁旦业;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢;葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种用于ESD防护的高维持电流SCR器件,包括:P型衬底、第一N型外延层、第一PWELL区、第一P+接触区、第一N+接触区、第二PWELL区、第二P+接触区、第三N+接触区;位于第一N型外延层上方且不与第一PWELL区、第二PWELL区相交的第二N+接触区;第一N+接触区与第一P+接触区通过金属短接形成金属阴极;第二P+接触区与第二N+接触区、第三N+接触区通过金属短接形成阳极。本发明可以通过调整第二PWELL区的浓度和长度来调节维持电流,从而避免器件发生闩锁,并使器件IV曲线呈现出多次snapback的特性,提高器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。
搜索关键词: 用于 esd 防护 维持 电流 scr 器件
【主权项】:
1.一种用于ESD防护的高维持电流SCR器件,其特征在于包括:P型衬底(00)、位于P型衬底(00)上方的第一N型外延层(01)、位于第一N型外延层(01)内部上方左侧的第一PWELL区(201)、位于第一PWELL区(201)内部上方的第一P+接触区(21)、位于第一PWELL区(201)内部上方的第一N+接触区(11);其中,第一P+接触区(21)位于第一N+接触区(11)左侧;位于第一N型外延层(01)内部上方右侧的第二PWELL区(202)、位于第二PWELL区(202)内部上方的第二P+接触区(22)、位于第二PWELL区(202)内部上方的第三N+接触区(13);其中,第三N+接触区(13)位于第二P+接触区(22)左侧;位于第一N型外延层上方且不与第一PWELL区、第二PWELL区相接触的第二N+接触区(12);第一N+接触区(11)与第一P+接触区(21)通过金属短接形成金属阴极(31);第二P+接触区(22)与第二N+接触区(12)、第三N+接触区(13)通过金属短接形成阳极(32)。
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