[发明专利]一种固相剥离制备高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片的方法有效
| 申请号： | 201810973243.1 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109081373B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 宋志国;胡锐;李永进;张庆福;邱建备;杨正文;徐祖元;张相周;周大成;尹兆益;杨勇;韩缙 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01G29/00 | 分类号： | C01G29/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种固相剥离制备高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在固相合成法制备B |
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| 搜索关键词： | 一种 剥离 制备 分散 稀土 离子 掺杂 氧化 二维 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固相剥离制备高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片的方法，其特征在于：固相合成法制备B3O4Cl二维半导体材料中，加入稀土离子和Li+离子作为共同固相剥离剂；其中，稀土离子为稀土Er3+离子和/或Lu3+离子，稀土离子与B3O4Cl中Bi3+的摩尔比为1:(10~1000)，Li+离子与B3O4Cl中Bi3+的摩尔比为1:(4~100)；稀土Er3+离子、稀土Lu3+离子的加入形式为稀土氧化物、稀土硝酸盐、稀土氯化物、稀土氟化物或稀土溴化物；Li+离子的加入形式为碳酸锂，硝酸锂，氯化锂或氟化锂。
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