[发明专利]一种复合结构的槽栅二极管在审
| 申请号： | 201810970647.5 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109119490A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨梦琦;宋炳炎;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明设计功率半导体技术，特别涉及一种复合结构的槽栅二极管。本发明的有益效果为：本发明提供的一种积累层与P型埋层共同控制的槽栅二极管，利用MOS和PN结结构，正向开启时由电子积累层导电，可在同样的电流密度下实现更低的正向压降；通过PN结耐压，器件在高温下的可靠性更好。本发明属于多数载流子器件，反向恢复时间短。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 槽栅 复合结构 功率半导体技术 多数载流子 电子积累 反向恢复 正向压降 积累层 导电 耐压 正向 | ||
【主权项】：
1.一种复合结构的槽栅二极管，包括N型半导体衬底(7)、位于N型半导体衬底(7)底部的阴极(8)、位于N型半导体衬底(7)上层的N型半导体漂移区(6)、位于N型半导体漂移区(6)上层的栅氧化层(2)和位于栅氧化层(2)上层的阳极(1)；所述栅氧化层(2)为沟槽栅结构；其特征在于，在沟槽两侧的栅氧化层(2)之间设置有第一N型半导体掺杂区(5)和位于第一N型半导体掺杂区(5)之间的第一P型半导体掺杂区(3)；所述第一N型半导体掺杂区(5)位于沟槽的侧壁与栅氧化层(2)相连；第一P型半导体掺杂区(3)的顶部与阳极(1)相连；其特征还在于，沟槽的正下方具有嵌入N型半导体漂移区(6)上层的P型埋层(4)。
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