[发明专利]具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810968880.X | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109148587A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 章文通;叶力;方冬;李珂;林祺;乔明;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法，其元胞结构包括：第一导电类型半导体衬底、第一层第一导电类型半导体漂移区、第二层第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型半导体接触区、多晶硅栅极、多晶硅分离栅电极、金属源电极、第一氧化层介质、第二氧化层介质、第三氧化层介质、第四氧化层介质、深槽；本发明优化漂移区浓度分布从而优化电场分布，在相同耐压条件下缩小比导通电阻，当器件工作在开关态切换状态下时，由于积累层漂移区浓度的降低可以使MOS电容耗尽区延伸更宽，对应栅漏电容更小，因此器件的动态损耗更小，本发明具有更宽的安全工作区。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 氧化层介质 比导通电阻 分离栅 导电类型半导体 半导体漂移区 漂移区 半导体接触区 安全工作区 多晶硅栅极 金属源电极 电场分布 动态损耗 浓度分布 切换状态 元胞结构 栅漏电容 第一层 多晶硅 耗尽区 积累层 接触区 电极 衬底 耐压 深槽 阱区 半导体 优化 制造 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件，其元胞结构包括：第一导电类型半导体衬底(152)、第一层第一导电类型半导体漂移区(111)、第二层第一导电类型半导体漂移区(112)、第二导电类型半导体阱区(122)、第一导电类型半导体接触区(151)、第二导电类型半导体接触区(121)、多晶硅栅极(131)、多晶硅分离栅电极(132)、金属源电极(130)、第一氧化层介质(141)、第二氧化层介质(142)、第三氧化层介质(143)、第四氧化层介质(144)、深槽(16)；第一层第一导电类型半导体漂移区(111)置于第一导电类型半导体衬底(152)上方，第二层第一导电类型半导体漂移区(112)置于第一层第一导电类型半导体漂移区(111)上方，所述的第一层第一导电类型半导体漂移区(111)和第二层第一导电类型半导体漂移区(112)掺杂浓度不相同，深槽(16)位于元胞两侧，伸入第一导电类型半导体衬底(152)内，多晶硅栅极(131)位于槽(16)内且第一氧化层介质(141)、第二氧化层介质(142)和第三氧化层介质(143)封闭多晶硅栅极(131)，多晶硅分离栅电极(132)位于槽(16)内且第三氧化层介质(143)和第四氧化层介质(144)封闭多晶硅分离栅电极(132)，第二导电类型半导体接触区(121)深入到第二导电类型半导体阱区(122)内，金属源电极(130)位于两个第一氧化层介质(141)之间隔离第一导电类型半导体接触区(151)且深入到第二导电类型半导体接触区(121)内，第二导电类型半导体接触区(121)和第一导电类型半导体接触区(151)采用重掺杂，通过金属源电极(130)将第二导电类型半导体接触区(121)和第一导电类型半导体接触区(151)短接。
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