[发明专利]氮化物荧光体的制造方法、氮化物荧光体及发光装置有效
| 申请号： | 201810965263.4 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109423284B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 涌井贞一;西俣和哉;细川昌治 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供氮化物荧光体及其制造方法、发光装置。该制造方法将具有下述组成的烧成物作为荧光体核，上述组成含有：选自Sr、Ca、Ba及Mg中的至少1种元素M |
||
| 搜索关键词： | 氮化物 荧光 制造 方法 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物荧光体的制造方法，所述氮化物荧光体将具有下述组成的烧成物作为荧光体核，所述组成含有：选自Sr、Ca、Ba及Mg中的至少1种元素Ma；选自Li、Na及K中的至少1种元素Mb；选自Eu、Ce、Tb及Mn中的至少1种元素Mc；Al；根据需要使用的Si；以及N，所述制造方法包括下述工序：准备具有所述组成的烧成物；使所述烧成物与含氟物质接触，以120℃以上且500℃以下的温度进行第1热处理，在所述烧成物上形成包含氟化物的第1膜；以及在所述烧成物上形成包含含有选自Si、Al、Ti、Zr、Sn及Zn中的至少1种金属元素M2的金属氧化物的第2膜，以大于250℃且500℃以下的温度进行第2热处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社，未经日亚化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810965263.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种形成氧化物量子点的方法及其用途
- 下一篇：铝酸盐荧光体及发光装置
