[发明专利]一种超势垒二极管器件有效
| 申请号： | 201810961371.4 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109119487B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张金平;邹华;王康;罗君轶;刘竞秀;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种超势垒二极管器件，属于半导体功率器件领域技术。其元胞结构包括自下而上依次设置的阴极金属、N+半导体衬底和N‑半导体漂移区，N‑半导体漂移区顶层左侧设置P型半导体基区，P型半导体基区顶层左侧从左自右依次并排设置紧密接触的P+半导体接触区和N+半导体源区；N+半导体源区的右侧上表面、N+半导体源区右侧的P型半导体基区的上表面和P型半导体基区右侧的N‑半导体漂移区的上表面设置沟槽结构；沟槽结构上设置栅极结构，栅极结构包括自下而上设置的介质层、多晶硅和阳极金属，多晶硅的下表面最底部低于沟槽结构的最顶部；阳极金属设置在超势垒二极管器件的上表面。本发明提高了器件正向导通电流水平和电压阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超势垒 二极管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种超势垒二极管器件，其元胞结构包括自下而上依次设置的阴极金属(9)、N+半导体衬底(8)和N‑半导体漂移区(7)，所述N‑半导体漂移区(7)顶层左侧设置P型半导体基区(6)，所述P型半导体基区(6)顶层左侧从左自右依次并排设置紧密接触的P+半导体接触区(5)和N+半导体源区(4)，所述N+半导体源区(4)的深度不超过所述P+半导体接触区(5)的深度；其特征在于，所述N+半导体源区(4)的右侧上表面、所述N+半导体源区(4)右侧的P型半导体基区(6)的上表面和所述P型半导体基区(6)右侧的N‑半导体漂移区(7)的上表面设置沟槽结构，所述沟槽结构下表面最底部的深度小于所述N+半导体源区(4)的深度；所述沟槽结构上设置栅极结构，所述栅极结构设置在包括所述沟槽结构的上表面和所述P型半导体基区6右侧的N‑半导体漂移区7的上表面，所述栅极结构包括自下而上设置的介质层(3)、多晶硅(2)和阳极金属(1)，所述多晶硅(2)的下表面最底部低于所述沟槽结构的最顶部；所述阳极金属(1)设置在所述超势垒二极管器件的上表面。
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