[发明专利]结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法有效
| 申请号： | 201810948461.X | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109423694B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 大岛佑一;藤田静雄;金子健太郎;嘉数诚;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/16;C30B25/18;C30B25/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王东贤;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
根据本发明主题的方面，结晶膜包括结晶金属氧化物作为主要组分，结晶膜包括刚玉结构、9μm |
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| 搜索关键词： | 结晶 包括 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结晶膜，包括：作为主要组分的结晶金属氧化物；所述结晶膜包括刚玉结构、9μm2或更大的表面积和小于5×106cm‑2的位错密度。
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