[发明专利]集成芯片在审
| 申请号： | 201810947971.5 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110676246A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 陈志彬;蔡嘉雄;刘铭棋;陈逸群 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/18;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/98 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各种实施例涉及一种形成将III‑V族器件结合到衬底的集成芯片的方法以及所得集成芯片。在一些实施例中，所述方法包括：形成包括外延堆叠的芯片、位于所述外延堆叠上的金属结构、及位于所述金属结构与所述外延堆叠之间的扩散层；将芯片结合到衬底，以使金属结构位于所述衬底与外延堆叠之间；以及执行向外延堆叠中的刻蚀以形成台面结构，所述台面结构具有与扩散层的侧壁间隔开侧壁。金属结构可例如为在进行结合之前图案化的金属凸块，或者可例如为位于刻蚀停止层上的金属层且穿过所述刻蚀停止层突出到扩散层的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 金属结构 扩散层 衬底 刻蚀停止层 集成芯片 台面结构 金属层 侧壁间隔 金属凸块 芯片结合 图案化 侧壁 刻蚀 芯片 穿过 申请 | ||
【主权项】：
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：/n衬底；/n台面结构，位于所述衬底上且包含半导体材料；/n凸块结构，位于所述衬底与所述台面结构之间，其中所述凸块结构包含导电材料；以及/n扩散层，凹陷到所述台面结构中，位于所述凸块结构与所述台面结构之间，/n其中所述扩散层包含分别来自所述台面结构及所述凸块结构的半导体材料及导电材料，且/n所述扩散层的侧壁从所述台面结构的侧壁间隔开。/n
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