[发明专利]一种含有AlN三明治结构的蓝宝石复合衬底在审
| 申请号： | 201810947312.1 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109065685A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 孙一军;程志渊;盛况;周强;孙颖 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种含有AlN三明治结构的蓝宝石复合衬底，其包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN三明治结构，所述AlN三明治结构包括沉积于所述蓝宝石衬底上的第一Al2O3层、沉积于所述第一Al2O3层上的AlN层以及沉积于所述AlN层上的第二Al2O3层，AlN三明治结构的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合。本发明不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 三明治结构 蓝宝石 衬底 沉积 复合 原子层沉积 发光效率 溅射 制备 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种含有AlN三明治结构的蓝宝石复合衬底，其特征在于，该复合衬底包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN三明治结构，所述AlN三明治结构包括沉积于所述蓝宝石衬底上的第一Al2O3层、沉积于所述第一Al2O3层上的AlN层以及沉积于所述AlN层上的第二Al2O3层，且所述的AlN三明治结构的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810947312.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
