[发明专利]应用于MEMS器件的TiN薄膜刻蚀方法在审
| 申请号： | 201810947295.1 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109132995A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏;朱兴旺 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种应用于MEMS器件的TiN薄膜刻蚀方法，包括如下步骤：步骤1、对覆盖有非晶硅膜或者氧化硅膜的硅基板进行加热，通过加热对硅基板进行表面处理，去除硅基板表面的水汽；步骤2、在所述硅基板的表面形成一层Ti薄膜，然后对硅基板进行N2吹扫处理；步骤3、在所述硅基板的Ti薄膜上端形成一层TiN薄膜。本发明能够有效降低湿法刻蚀TiN后造成的严重侧蚀缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板 薄膜 刻蚀 加热 硅基板表面 表面形成 非晶硅膜 湿法刻蚀 氧化硅膜 上端 水汽 侧蚀 吹扫 去除 应用 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种应用于MEMS器件的TiN薄膜刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、对覆盖有非晶硅膜或者氧化硅膜的硅基板进行加热，通过加热对硅基板进行表面处理，去除硅基板表面的水汽；步骤2、在所述硅基板的表面形成一层Ti薄膜，然后对硅基板进行N2吹扫处理；步骤3、在所述硅基板的Ti薄膜上端形成一层TiN薄膜。
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