[发明专利]PERC电池背面钝化工艺

摘要

本发明提供一种PERC电池背面钝化工艺，在perc电池制程过程中，经制绒、扩散、洗磷，再洗磷后先在背面钝化层氧化硅，然后加上氧化铝，热处理工艺，背面氮化硅使用四层以及多层，在氧化铝钝化前加一步氧化硅钝化，可以使氧化铝厚度降低从而减少了氧化铝原料反应成本，增加了对长波的反射，提高转化效率，增加perc电池短路电流。本发明提供的一种PERC电池背面钝化工艺，与现有工艺相比，效率方面能够与现有工艺持平并有所提升，在效率方面会有0.10％提升，钝化和吸杂效果都得到提升。

主权项

1.一种PERC电池背面钝化工艺，其特征在于：包括以下步骤：a、第一层镀氧化硅层：将进行洗磷后抛光的硅片放入石墨舟进入管式PECVD镀膜设备，炉内温度稳定在450±50℃，向炉内通入SiH4与N2O，并开放射频功率，完成硅片表面第一层镀膜；b、第二层镀氧化铝层：将硅片放入原子沉积腔，通入三甲基铝和水蒸汽，在温度200±30℃，进行原子沉积，完成硅片表面第二层镀膜；c、退火热处理工艺：将硅片放入600±50℃炉管设备中，对硅片进行热处理退火，工艺时间为600±50s；d、第三层镀氮化硅层：炉内温度稳定在420±50℃，向炉内通入SiH4与NH3，并开放射频功率，完成镀膜；e、第四层镀氮化硅层：炉内温度在420±50℃向炉内通入SiN4与NH3，并开放射频功率，完成镀膜；f、第五层镀氮化硅层：炉内温度在420±50℃向炉内通入SiN4与NH3，并开放射频功率，完成镀膜；g、第六层镀氮化硅层：炉内温度在420±50℃向炉内通入SiN4与NH3，并开放射频功率，完成镀膜；h、抽真空：镀膜完成后，对炉内进行抽真空，抽真空的时间控制在1min内，使炉内的压强为零；i、出炉：打开炉门，承载石墨舟托以600±5mm/min的速度从炉内退出，在出炉过程中向炉内通入氮气，氮气流量为10000±1000sccm。