[发明专利]一种太阳能电池片去磷硅玻璃材料在审
| 申请号: | 201810943307.3 | 申请日: | 2018-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN109148283A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
| 发明(设计)人: | 狄宝忠;张华;潘国凤;杨明娟;祝秋;陈林阳 | 申请(专利权)人: | 安徽英发三友新能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 顾进 |
| 地址: | 239341 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
| 摘要: | 本发明提供一种太阳能电池片去磷硅玻璃材料,包括去磷硅材料以及清洗材料;去磷硅材料的组成成分以及各成分所占质量百分比分别为:氢氟酸:40~60%、去离子水:25~50%、酸性分散剂:5~10%、稳定剂:4~7%;清洗材料为碱性清洗剂,其组成成分以及各成分所占质量百分比分别为:季铵碱:65~82%、碱性分散剂:10~25%、活性剂:5~9%、消泡剂:3~7%。本发明采用双组份分别进行去磷硅以及清洗,在保证磷硅去除效果的同时,减少清洗所需资源,降低生产成本以及环境污染。 | ||
| 搜索关键词: | 磷硅 太阳能电池片 去磷硅玻璃 质量百分比 清洗材料 清洗 碱性分散剂 碱性清洗剂 酸性分散剂 去离子水 活性剂 季铵碱 氢氟酸 双组份 稳定剂 消泡剂 去除 保证 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池片去磷硅玻璃材料,其特征在于:包括去磷硅材料以及清洗材料;所述去磷硅材料的组成成分以及各成分所占质量百分比分别为:氢氟酸:40~60%、去离子水:25~50%、酸性分散剂:5~10%、稳定剂:4~7%;所述清洗材料为碱性清洗剂,其组成成分以及各成分所占质量百分比分别为:季铵碱:65~82%、碱性分散剂:10~25%、活性剂:5~9%、消泡剂:3~7%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽英发三友新能源科技有限公司,未经安徽英发三友新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810943307.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于浅沟槽隔离的水性二氧化硅浆料组合物和其使用方法
- 下一篇:液体槽
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





