[发明专利]包括绝缘覆盖结构的半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810940714.9 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109427794A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 黄昌善;朴基喆;片荣范;权炳昊;尹普彦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L21/48;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;赵南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种包括绝缘覆盖结构的半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：在衬底上垂直层叠的多个栅电极；绝缘覆盖结构，其位于所述多个栅电极上。所述绝缘覆盖结构可以包括第一上表面和第二上表面。所述第一上表面和所述衬底之间的第一距离可以大于所述第二上表面和衬底之间的第二距离。所述第一上表面可以不与所述第二上表面重叠。该半导体器件可以包括存储单元垂直结构，其穿过所述第一上表面、所述多个栅电极和所述绝缘覆盖结构。所述存储单元垂直结构可以与所述第二上表面间隔开。该半导体器件可以包括位线，其与所述存储单元垂直结构电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 半导体器件 绝缘覆盖 垂直结构 存储单元 栅电极 衬底 垂直层叠 电连接 位线 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上垂直层叠的多个栅电极；绝缘覆盖结构，其位于所述多个栅电极上，所述绝缘覆盖结构包括第一上表面和第二上表面，所述第一上表面和所述衬底之间的第一距离大于所述第二上表面和所述衬底之间的第二距离，所述第一上表面不与所述第二上表面重叠；存储单元垂直结构，其穿过所述第一上表面、所述多个栅电极和所述绝缘覆盖结构，所述存储单元垂直结构与所述第二上表面横向间隔开；以及位线，其与所述存储单元垂直结构电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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