[发明专利]氧化镓场效应晶体管有效
| 申请号： | 201810935834.X | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109148586B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;宋旭波;王元刚;梁士雄;谭鑫;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了氧化镓场效应晶体管，包括衬底、沟道层、源极、栅极和漏极；其特征在于，所述沟道层的掺杂浓度纵向由上到下递增；本发明中沟道层的掺杂浓度纵向由上到下递增，沟道层的掺杂浓度不是单一的，距离栅极越近的位置掺杂浓度越低，本发明改善了晶体管的击穿特性，同时提高了饱和电流，实现了具有高饱和电流特性的氧化镓晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.氧化镓场效应晶体管，包括衬底、沟道层、源极、栅极和漏极；其特征在于，所述沟道层的掺杂浓度纵向由上到下递增。
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