[发明专利]用于减少暗电流的凸起电极

摘要

本发明涉及一种用于减少暗电流的凸起电极。图像传感器包含安置在半导体材料中的多个光电二极管及浮动扩散区。所述图像传感器还包含耦合在所述多个光电二极管与所述浮动扩散区之间的多个转移栅极，以将在所述多个光电二极管中产生的图像电荷转移到所述浮动扩散区中。外围电路靠近所述多个光电二极管安置并且经耦合以从所述多个光电二极管接收所述图像电荷。浅沟槽隔离结构至少部分地横向安置在所述多个光电二极管与所述外围电路之间，以防止所述多个光电二极管与所述外围电路之间的电串扰。所述外围电路包含一或多个晶体管，其包含在所述半导体材料的表面上方凸起的源极电极及漏极电极。

主权项

1.一种图像传感器，其包括：多个光电二极管，其安置在半导体材料中以将图像光转换为图像电荷；浮动扩散区，其安置在所述半导体材料中；多个转移栅极，其耦合在所述多个光电二极管与所述浮动扩散区之间，以将所述多个光电二极管中产生的所述图像电荷转移到所述浮动扩散区中；及外围电路，其靠近所述多个光电二极管安置并且经耦合以从所述多个光电二极管接收所述图像电荷，其中浅沟槽隔离结构至少部分地横向安置在所述多个光电二极管与所述外围电路之间以防止所述多个光电二极管与所述外围电路之间的电串扰，其中所述外围电路包含：一或多个晶体管，其包含在所述半导体材料的表面上方凸起的源极电极及漏极电极，其中所述源极电极及所述漏极电极包含安置在所述半导体材料的所述表面上的硅。