[发明专利]一种双异质结紫外探测器在审
| 申请号： | 201810928201.6 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109065663A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王俊;郭进;余第喜;金里;赵恒;程国云;王国胜;李由 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0216;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 王林 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双异质结紫外探测器，所述GaN吸收层的上表面形成正的极化电荷，下表面形成负的极化电荷；在极化电荷的作用下，所述AlN缓冲层和GaN吸收层的界面间形成作为光生空穴的输送通道二维空穴气2DHG，GaN吸收层与AlGaN势垒层的界面间形成作为光生电子的输送通道二维电子气2DEG，所述探测器的工作模式为光线从肖特基接触层的上表面入射。本发明采用AlGaN/GaN/AlN双异质结代替传统的AlGaN/GaN单异质结，光生空穴将能通过2DHG沟道快速输运，从而消除单沟道结构光生空穴迁移速度慢导致的信号“拖尾”现象。光生空穴通过2DHG的有效收集将进一步提高器件的量子效率和响应频率。由于双沟道极化电荷的存在将更容易在GaN吸收区形成垂直的电场分布。 | ||
| 搜索关键词： | 光生空穴 极化电荷 双异质结 吸收层 紫外探测器 输送通道 上表面 肖特基接触层 单沟道结构 二维电子气 二维空穴气 单异质结 电场分布 工作模式 光生电子 量子效率 响应频率 有效收集 传统的 垂直的 双沟道 吸收区 下表面 探测器 沟道 入射 输运 拖尾 迁移 | ||
【主权项】：
1.一种双异质结紫外探测器，其特征在于，包括由下至上依次外延生长有AlN缓冲层、GaN吸收层、AlGaN势垒层、肖特基接触层和肖特基接触电极，所述GaN吸收层的上表面形成正的极化电荷，下表面形成负的极化电荷；在极化电荷的作用下，所述AlN缓冲层和GaN吸收层的界面间形成作为光生空穴的输送通道二维空穴气2DHG，GaN吸收层与AlGaN势垒层的界面间形成作为光生电子的输送通道二维电子气2DEG，所述探测器的工作模式为光线从肖特基接触层的上表面入射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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