[发明专利]一种g-C3N4纳米片修饰的TiO2纳米管阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201810928143.7 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN108970633A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 徐光青;冯强;高峰;吕珺;吴玉程 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;G01N27/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料和光电催化及光电化学检测技术领域，具体涉及一种g‑C3N4纳米片修饰的TiO2纳米管阵列，细小弥散的g‑C3N4纳米片均匀分布于TiO2纳米管阵列内部。本发明的g‑C3N4纳米片修饰TiO2纳米管阵列是通过在阳极氧化法制备的TiO2纳米管阵列表面气相沉积g‑C3N4纳米片获得。相比较其它方法制备的g‑C3N4/TiO2复合纳米管阵列，气相沉积的g‑C3N4纳米片尺寸更小，与TiO2纳米管之间接触充分、结合良好、不易脱落且分布均匀，既能够提高TiO2纳米管阵列在紫外光照射下的光电化学性能，又能拓宽其光谱响应范围，可有效应用于光电催化和光电化学检测技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 修饰 光电化学检测 光电催化 气相沉积 制备 光电化学性能 阳极氧化法制 复合纳米管 紫外光照射 光谱响应 纳米材料 阵列表面 弥散 | ||
【主权项】：
1.一种g‑C3N4纳米片修饰的TiO2纳米管阵列，其特征在于：细小弥散的g‑C3N4纳米片均匀分布于TiO2纳米管阵列内部。
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