[发明专利]一种无铝的高效六结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810927043.2 申请日: 2018-08-15
公开(公告)号: CN109103278B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 黄珊珊;黄辉廉;张小宾;潘旭;刘建庆;彭娜 申请(专利权)人: 中山德华芯片技术有限公司
主分类号: H01L31/0304 分类号: H01L31/0304;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 冯炳辉
地址: 528437 广东省中山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种无铝的高效六结太阳能电池及其制备方法,采用金属有机化学气相沉积技术或分子束外延生长技术在Ge衬底的上表面按照层状叠加结构由下至上依次生长GaInAs/GaInP缓冲层、第一隧道结、GaNxSb3xAs1‑4x子电池、第二隧道结、GaNySb3yAs1‑4y子电池、第三隧道结、GaInAs子电池、第四隧道结、GaInAsP子电池、第五隧道结、渐变缓冲层和GaInP子电池即可。本发明可以提高含宽带隙材料及稀氮化合物材料的子电池收集效率,增加六结电池短路电流,节约生产成本,最终发挥六结电池的优势,提高电池整体光电转换效率。
搜索关键词: 一种 高效 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种无铝的高效六结太阳能电池,包括有Ge衬底,其特征在于:所述Ge衬底为p型Ge单晶片;在所述Ge衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、GaNxSb3xAs1‑4x子电池、GaNySb3yAs1‑4y子电池、GaInAs子电池、GaInAsP子电池、渐变缓冲层和GaInP子电池;所述GaInAs/GaInP缓冲层和GaNxSb3xAs1‑4x子电池之间通过第一隧道结连接,所述GaNxSb3xAs1‑4x子电池和GaNySb3yAs1‑4y子电池之间通过第二隧道结连接,所述GaNySb3yAs1‑4y子电池和GaInAs子电池之间通过第三隧道结连接,所述GaInAs子电池和GaInAsP子电池之间通过第四隧道结连接,所述GaInAsP子电池和渐变缓冲层之间通过第五隧道结连接。
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