[发明专利]一种局部磁路并联型内置式混合永磁记忆电机有效

专利信息
申请号: 201810919764.9 申请日: 2018-08-14
公开(公告)号: CN109088494B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 阳辉;郑昊;林鹤云 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02K1/27 分类号: H02K1/27
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张俊范
地址: 211100 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种局部磁路并联型内置式混合永磁记忆电机,包括混合永磁转子、定子、电枢绕组和转轴,所述电枢绕组设置在定子上,所述定子设置在混合永磁转子外部,所述混合永磁转子包括转子铁心、第一永磁体、第二永磁体以及V型磁障,所述转子铁心设置于所述转轴外部,所述V型磁障设置于转子铁心内部,V型磁障开口向外等分分布于所述转子铁心的周向,所述第一永磁体设置于所述V型磁障的开口内,所述第二永磁体设置于相邻的两个V型磁障之间,所述第一永磁体的矫顽力大于第二永磁体的矫顽力,所述第一永磁体和第二永磁体的横截面呈一字形。本发明可以有效解决永磁体尺寸设计受空间位置限制的问题,提高低矫顽力永磁抗去磁能力和电机的弱磁能力。
搜索关键词: 一种 局部 磁路 并联 内置 混合 永磁 记忆 电机
【主权项】:
1.一种局部磁路并联型内置式混合永磁记忆电机,包括混合永磁转子、定子、电枢绕组和转轴,所述电枢绕组设置在定子上,所述定子设置在混合永磁转子外部,其特征在于,所述混合永磁转子包括转子铁心、第一永磁体、第二永磁体以及V型磁障,所述转子铁心设置于所述转轴外部,所述V型磁障设置于转子铁心内部,V型磁障开口向外等分分布于所述转子铁心的周向,所述第一永磁体设置于所述V型磁障的开口内,所述第二永磁体设置于相邻的两个V型磁障之间,所述第一永磁体的矫顽力大于第二永磁体的矫顽力,所述第一永磁体和第二永磁体的横截面呈一字形。
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