[发明专利]一种芯片封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810915010.6 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109065510B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王永贵;阳林涛;邱一平 | 申请（专利权）人： | 王永贵;阳林涛;邱一平 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 44419 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘小芹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片封装结构，包括衬底，所述衬底上表面的两侧分别形成阶梯面，所述芯片封装结构包括形成在所述衬底上表面的外延层、填充在所述上表面及阶梯面上的防水层、形成在所述衬底未被所述防水层和所述外延层覆盖的背面与侧面的第一金属层以及形成在所述第一金属层上的第二金属层。另，本发明还涉及一种芯片封装结构的制备方法。本发明芯片封装结构及其制备方法具有较佳的热稳定性和电阻较低。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片封装结构 制备 衬底上表面 第一金属层 防水层 外延层 衬底 第二金属层 热稳定性 阶梯面 上表面 电阻 填充 背面 侧面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的封装结构的制备方法，包括衬底，其特征在于：所述衬底上表面的两侧分别形成阶梯面，芯片的封装结构包括形成在所述衬底上表面的外延层、填充在所述上表面及阶梯面上的防水层、形成在所述衬底未被所述防水层和所述外延层覆盖的背面与侧面的第一金属层以及形成在所述第一金属层上的第二金属层；/n包括如下步骤：/n步骤S1：提供一个晶元，所述晶元包括多个芯片及位于多个芯片之间的划片道，所述芯片包括衬底、形成在所述衬底上的外延层；/n步骤S2：在所述划片道上开设延伸至所述衬底的第一沟槽，在外延层开设第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度，所述第一沟槽与所述第二沟槽连通共同构成了划片槽；/n步骤S3：在所述外延层及所述划片槽内形成防水层；/n步骤S4：去除所述外延层上面及划片槽上方凸出于所述外延层上面的防水层，在去除了防水层的位置制备钝化层；/n步骤S5：对所述划片槽进行划片，将所述芯片分割；/n步骤S6：在分割后的芯片外围制备第一金属层，将整个芯片覆盖，加热到一定温度，保持足够时间，缓慢冷却，使金属与衬底接触部分发生反应，生成金属硅化物层，去除钝化层和防水层表面未反应金属；/n步骤S7：在所述金属硅化物层上制备金属层。/n
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