[发明专利]一种平面内纳米结构的精确可控制造方法在审
| 申请号： | 201810908992.6 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109132993A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 袁志山;雷鑫;王成勇 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及微纳加工的技术领域，更具体地，涉及一种平面内纳米结构的精确可控制造方法，包括：提供一块薄膜基板，所述薄膜基板的上部设有纳米自支撑薄膜；在纳米自支撑薄膜上加工所需形状的纳米结构；将加工得到的纳米结构收缩至所需尺寸，制成纳米掩膜板；将纳米掩膜板放置于待沉积的基片上方，并在纳米掩膜板及基片上方沉积所需材料；去除纳米掩膜板，在基片上得到所需形状尺寸的纳米结构。本发明可以在纳米级单层或多层复合薄膜上加工出所需位置、形状、数量的纳米结构，适用范围广；可以将纳米结构准确收缩为所需尺寸，制成纳米掩膜板，沉积所需单层或多层复合材料；可以实现特定尺寸、形状、数量、位置的纳米图案或纳米线的可控制造。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构 纳米掩膜 可控制 沉积 自支撑薄膜 薄膜基板 单层 收缩 加工 多层复合薄膜 多层复合材料 纳米图案 微纳加工 纳米级 纳米线 去除 | ||
【主权项】：
1.一种平面内纳米结构的精确可控制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1. 提供一块薄膜基板，所述薄膜基板的上部设有纳米自支撑薄膜；S2. 在步骤S1中所述的纳米自支撑薄膜上加工所需形状的纳米结构；S3. 将步骤S2中加工得到的纳米结构收缩至所需尺寸，制成纳米掩膜板；S4. 将步骤S3中所述的纳米掩膜板放置于待沉积的基片上方，并在纳米掩膜板及基片上方沉积所需材料；S5. 去除纳米掩膜板，基片上得到所需形状尺寸的纳米结构。
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