[发明专利]氢化非晶硅光学薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201810908618.6 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN108914071A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 谢小静 | 申请（专利权）人： | 深圳市都乐精密制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 宋涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于薄膜制备技术领域，提供了一种氢化非晶硅光学薄膜制备方法，包括以下步骤：A、将膜层放置在旋转平台上，通过旋转平台对膜层进行旋转，旋转速度为60～250r/min；B、对旋转平台上的膜层进行加热，使其温度为100～200℃；C、在旋转平台对应的圆周位置安置孪生靶材，且孪生靶材分别连接中频的正负极；D、对旋转平台所处的反应室进行真空处理，使其压力为‑0.1～6Pa；E、通过孪生靶材分别注射溅射气体和反应气体，溅射气体为氩气，反应气体为氢气，所述溅射压力为‑1～1Pa，氢化硅薄膜厚度为240～300nm。借此，本发明能够有效改善氢化硅薄膜的透过率、折射率和消光系数。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转平台 孪生靶 光学薄膜制备 氢化非晶硅 氢化硅薄膜 反应气体 溅射气体 膜层 薄膜制备技术 氩气 消光系数 圆周位置 真空处理 氢气 对膜层 反应室 透过率 折射率 正负极 溅射 加热 注射 安置 | ||
【主权项】：
1.一种氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将膜层放置在旋转平台上，通过旋转平台对膜层进行旋转，旋转速度为60～250r/min；B、对旋转平台上的膜层进行加热，使其温度为100～200℃；C、在旋转平台对应的圆周位置安置孪生靶材，且所述孪生靶材分别连接中频的正负极；D、对旋转平台所处的反应室进行真空处理，使其压力为‑0.1～6Pa；E、通过孪生靶材分别注射溅射气体和反应气体，所述溅射气体为氩气，所述反应气体为氢气，所述溅射压力为‑1～1Pa，所述氢化硅薄膜厚度为240～300nm。
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