[发明专利]一种SE电池的制备方法有效
申请号: | 201810902147.8 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN109192811B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 吴兢;杜欢;赵兴国 | 申请(专利权)人: | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 210061 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种SE电池的制备方法,包括以下步骤:表面处理;设计选择性区域;制备低浓度扩散及高浓度扩散;清洗、蚀刻;镀膜;印刷;烧结。本发明使用SE工艺匹配无铅浆料,分别对镀膜工艺及印刷工艺进行改进;在镀膜段,通过设计带图形石墨板保证镀膜过程中高浓度扩散区域不镀膜;在印刷段,未镀膜区域可直接使用无铅浆料印刷,相比传统电池技术,不仅提高了电池转换效率,还降低了有铅浆料的使用,且方法便捷可行可产业化,具有非常大的经济效益和社会效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 se 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种SE电池的制备方法,其特征是,包括以下步骤:(1)表面处理:对硅片表面进行处理,包括硅片表面清洗及制绒;(2)设计选择性区域:通过使用掩膜图形涂覆或者激光处理的方法进行选择性区域的设计;(3)制备低浓度扩散及高浓度扩散:通过扩散或离子注入方式进行低浓度扩散及高浓度扩散的制备;(4)清洗、蚀刻:对扩散产生的磷硅玻璃清洗,用化学试剂对硅片进行刻蚀;(5)镀膜:通过在石墨舟中硅片上加盖一层石墨板,对选择性发射极中低浓度扩散区域进行镀膜,高浓度扩散区域不进行此镀膜;(6)印刷:未镀膜的高浓度扩散区域使用无铅银浆进行印刷,银浆与硅片直接接触,低浓度扩散区域使用有铅浆料进行副栅线印刷;(7)烧结:对硅片进行烧结测试分档。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏辉伦太阳能科技有限公司,未经江苏辉伦太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810902147.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种光敏电容及其制作方法
- 下一篇:光伏双玻组件侧面全自动贴胶带包边机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的