[发明专利]一种柔性瞬态硅薄膜光电晶体管及制作方法有效

专利信息
申请号: 201810893511.9 申请日: 2018-08-08
公开(公告)号: CN109285915B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 陈大正;张春福;张家祺;杜丰羽;林珍华;常晶晶;习鹤;张进成;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L31/112 分类号: H01L31/112;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种柔性瞬态硅薄膜光电晶体管,主要解决现有光电晶体管不具有柔性可穿戴与瞬态可降解性的问题,其自下而上包括衬底(1)、粘附层(2)、硅薄膜活性层(3)、金属电极(5)、二氧化硅钝化层(6),其中衬底(1)采用柔性瞬态氧化铟锡/聚乳酸衬底;硅薄膜活性层(3)与金属电极(5)之间设有二氧化钛插入层(4),以改善源漏极的欧姆接触;二氧化硅钝化层(6)上淀积有氧化锌种子层(7),为氧化锌纳米线的生长提供成核位置;氧化锌种子层(7)上生长有氧化锌纳米线(8),以减少光的反射,增加大角度入射光的吸收。本发明具有柔性和瞬态溶解的特性,可用于光通讯、物体检测、光耦合及柔性可穿戴与瞬态自销毁。
搜索关键词: 一种 柔性 瞬态 薄膜 光电晶体管 制作方法
【主权项】:
1.一种柔性瞬态硅薄膜光电晶体管,自下而上包括:衬底(1)、粘附层(2)、硅薄膜活性层(3)、金属电极(5)、二氧化硅钝化层(6),其特征在于:衬底(1)采用柔性瞬态氧化铟锡/聚乳酸衬底;在硅薄膜活性层(3)与金属电极(5)之间设有二氧化钛插入层(4),以改善源漏极的欧姆接触;在二氧化硅钝化层(6)上淀积有氧化锌种子层(7),以为氧化锌纳米线的生长提供成核位置,促进氧化锌纳米线的生长;在氧化锌种子层(7)上生长有氧化锌纳米线(8),以减少光的反射,并增加大角度入射光的吸收。
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