[发明专利]一种柔性瞬态硅薄膜光电晶体管及制作方法有效
申请号: | 201810893511.9 | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN109285915B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 陈大正;张春福;张家祺;杜丰羽;林珍华;常晶晶;习鹤;张进成;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/112 | 分类号: | H01L31/112;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种柔性瞬态硅薄膜光电晶体管,主要解决现有光电晶体管不具有柔性可穿戴与瞬态可降解性的问题,其自下而上包括衬底(1)、粘附层(2)、硅薄膜活性层(3)、金属电极(5)、二氧化硅钝化层(6),其中衬底(1)采用柔性瞬态氧化铟锡/聚乳酸衬底;硅薄膜活性层(3)与金属电极(5)之间设有二氧化钛插入层(4),以改善源漏极的欧姆接触;二氧化硅钝化层(6)上淀积有氧化锌种子层(7),为氧化锌纳米线的生长提供成核位置;氧化锌种子层(7)上生长有氧化锌纳米线(8),以减少光的反射,增加大角度入射光的吸收。本发明具有柔性和瞬态溶解的特性,可用于光通讯、物体检测、光耦合及柔性可穿戴与瞬态自销毁。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 瞬态 薄膜 光电晶体管 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种柔性瞬态硅薄膜光电晶体管,自下而上包括:衬底(1)、粘附层(2)、硅薄膜活性层(3)、金属电极(5)、二氧化硅钝化层(6),其特征在于:衬底(1)采用柔性瞬态氧化铟锡/聚乳酸衬底;在硅薄膜活性层(3)与金属电极(5)之间设有二氧化钛插入层(4),以改善源漏极的欧姆接触;在二氧化硅钝化层(6)上淀积有氧化锌种子层(7),以为氧化锌纳米线的生长提供成核位置,促进氧化锌纳米线的生长;在氧化锌种子层(7)上生长有氧化锌纳米线(8),以减少光的反射,并增加大角度入射光的吸收。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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