[发明专利]基于有机-无机范德华异质结的双极性场效应晶体管有效

专利信息
申请号: 201810888485.0 申请日: 2018-08-07
公开(公告)号: CN109065729B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 闫婕;孙祎萌;徐伟;朱道本 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所;中国科学院大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100080 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于有机‑无机范德华异质结的双极性场效应晶体管。该有机‑无机范德华异质结器件,由下至上依次为有机聚合物薄膜层、无机半导体层和上电极,且所述上电极位于所述无机半导体层两端的上方;构成所述有机聚合物薄膜层的材料为PDVT‑10;所述无机半导体层的材料为MoS2。该器件具有双极性晶体管特性,n型迁移率最高可达2.45cm2V‑1S‑1,p型迁移率最高可达0.80cm2V‑1S‑1,开关比可达103。同时,异质结器件在白光下有明显的光响应,开关比最高可达1.3×103,光响应度可达1.38A/W。由此异质结构成的二极管特性明显,击穿电压为5V,整流比约78,理想因子6.4。
搜索关键词: 基于 有机 无机 范德华异质结 极性 场效应 晶体管
【主权项】:
1.一种有机‑无机范德华异质结器件,由下至上依次为有机聚合物薄膜层、无机半导体层和上电极,且所述上电极位于所述无机半导体层两端的上方;构成所述有机聚合物薄膜层的材料为PDVT‑10;所述无机半导体层的材料为MoS2。
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