[发明专利]背照式图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201810882983.4 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN108899335A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 佟璐;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种背照式图像传感器及其制作方法，所述背照式图像传感器包括半导体衬底以及位于半导体衬底内的光电二极管和光电二极管隔离结构；位于半导体衬底上的外延层以及位于外延层中的浮动扩散区域和贯穿所述外延层的传输栅。所述图像传感器增大了光电二极管的面积，有效的提高了背照式图像传感器的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式图像传感器 光电二极管 外延层 衬底 半导体 浮动扩散区域 图像传感器 隔离结构 量子效率 传输栅 制作 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底以及位于半导体衬底内的光电二极管和光电二极管隔离结构；位于半导体衬底上的外延层以及位于外延层中的浮动扩散区域和贯穿所述外延层的传输栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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