[发明专利]氟扩散实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其方法在审
| 申请号： | 201810881912.2 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109065453A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 沈飞宇;于国浩;张晓东;蔡勇;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氟扩散实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其方法。所述的方法包括：提供包含第一半导体和第二半导体的异质结，所述第二半导体形成在第一半导体上，且具有宽于所述第一半导体的带隙，所述异质结中形成有二维电子气；至少在所述第二半导体的栅下区域上设置含氟材料层，并通过高温退火处理使含氟材料层中的氟离子扩散进入第二半导体，从而在所述第二半导体的栅下区域内形成氟离子掺杂区，所述氟离子掺杂区用于耗尽栅下区域的二维电子气；以及制作源极、漏极和栅极。本发明的方法通过退火将含氟材料层中的氟离子扩散到器件沟道层，避免了刻蚀造成损伤以及因离子注入工艺引入的损伤问题，降低了器件的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 含氟材料层 下区域 高电子迁移率晶体管 二维电子气 氟离子掺杂 氟扩散 氟离子 异质结 增强型 损伤 离子注入工艺 退火 半导体形成 扩散 高温退火 器件沟道 制作源 带隙 刻蚀 漏极 耗尽 制备 引入 | ||
【主权项】：
1.一种氟扩散实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于包括：提供包含第一半导体和第二半导体的异质结，所述第二半导体形成在第一半导体上，且具有宽于所述第一半导体的带隙，所述异质结中形成有二维电子气；至少在所述第二半导体的栅下区域上设置含氟材料层，并通过高温退火处理使含氟材料层中的氟离子扩散进入第二半导体，从而在所述第二半导体的栅下区域内形成氟离子掺杂区，所述氟离子掺杂区用于耗尽栅下区域的二维电子气；以及制作源极、漏极和栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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