[发明专利]一种非接触式R-test测量仪的结构参数优化方法有效
| 申请号： | 201810878564.3 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109115095B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 丁国富;江磊;丁国华;张剑;黎荣;邹益胜 | 申请（专利权）人： | 成都天佑创软科技有限公司;西南交通大学 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 邹敏菲 |
| 地址： | 610000 四川省成都市金牛区交大路*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非接触式R‑test测量仪的结构参数优化方法，属于非接触式R‑test五轴数控机床转动轴误差测量仪器领域；其方法包括步骤1：建立采用电涡流位移传感器的非接触式R‑test测量仪的结构模型，并对结构模型的坐标进行预处理；步骤2：基于步骤1和传感器测得的感应电压构建测量灵敏度方程获得灵敏度最大化对应的传感器仰角；步骤3：基于灵敏度最大化的结构模型计算各传感器的测量约束方程；步骤4：计算同时满足测量约束方程的测量点个数即测量空间体积后，获得测量空间最大化对应的传感器中心间距，完成结构参数优化；解决了现有接触式R‑test测量仪因接触磨损和机械结构导致传感器读数灵敏度差和测量精度低等问题，实现了测量仪的精确测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 test 测量仪 结构 参数 优化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非接触式R‑test测量仪的结构参数优化方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：建立采用电涡流位移传感器的非接触式R‑test测量仪的结构模型，并对结构模型的坐标进行预处理；步骤2：根据预处理后的结构模型和电涡流位移传感器测得的感应电压构建测量灵敏度方程获得灵敏度最大化对应的传感器仰角α；步骤3：基于灵敏度最大化的结构模型计算各电涡流位移传感器的测量约束方程；步骤4：计算同时满足测量约束方程的测量点个数即测量空间体积后，获得测量空间体积最大化对应的传感器中心间距λ，完成结构参数优化。
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