[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括以下步骤：提供堆叠结构，包括：第一晶片，包括第一衬底、第一绝缘层、第一电连接件；第二晶片，包括第二衬底、第二绝缘层、第二电连接件，并且第一晶片接合到第二晶片；形成硅通孔TSV的第一部分，其与第一电连接件的至少一部分以及第二电连接件的至少一部分重叠，穿过第一衬底并暴露出第一绝缘层；形成绝缘膜，其至少覆盖TSV的第一部分的侧表面和底表面；形成保留在TSV的第一部分的侧表面上的第一导电阻挡膜；形成暴露第一电连接件的至少一部分以及第二电连接件的至少一部分的TSV的第二部分；形成填充TSV的第一部分和第二部分的导电插塞，以将第一电连接件和所述第二电连接件互连。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供堆叠结构，所述堆叠结构包括：第一晶片，所述第一晶片包括第一衬底和所述第一衬底上的第一绝缘层以及所述第一绝缘层中的第一电连接件；第二晶片，所述第二晶片包括第二衬底和所述第二衬底上的第二绝缘层以及所述第二绝缘层中的第二电连接件，并且所述第一晶片以所述第一绝缘层面对所述第二绝缘层的方式接合到所述第二晶片；从所述第一衬底的与所述第一绝缘层相反的一侧形成硅通孔TSV的第一部分，所述TSV的第一部分与所述第一电连接件的至少一部分以及所述第二电连接件的至少一部分重叠，穿过所述第一衬底并暴露出所述第一绝缘层的一部分的表面；形成绝缘膜，所述绝缘膜至少覆盖所述TSV的第一部分的侧表面和底表面；在所述绝缘膜上形成第一导电阻挡膜；去除所述第一导电阻挡膜的一部分，以保留所述TSV的第一部分的侧表面上的所述第一导电阻挡膜；去除所述TSV的第一部分的底表面处的所述绝缘膜及其下面的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的部分，从而形成暴露所述第一电连接件的至少一部分以及所述第二电连接件的至少一部分的所述TSV的第二部分；形成填充所述TSV的第一部分和第二部分的导电插塞，以将所述第一电连接件和所述第二电连接件互连。