[发明专利]提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层和高压N阱；高压N阱内设有第一P阱、N阱和第二P阱；第一P阱中设有第一P+注入区、第一N+注入区；第一P阱与N阱之间横跨有第一硼离子注入区；N阱与第二P阱之间横跨有第二硼离子注入区；N阱的表面设有第一多晶硅假栅；第二P阱中设有第二N+注入区、第二P+注入区；第一硼离子注入区、第一多晶硅假栅、第二硼离子注入区构成多晶硅假栅深阱硼离子结构。本发明的多晶硅假栅深阱硼离子结构，能够使得器件的ESD导通路径在N型埋层内泄放，器件能够承受高强度的静电脉冲应力，防止器件结构表面产生额外通路，从而有效避免器件表面的热击穿现象。

主权项

1.一种提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件，其特征在于：包括P型衬底；/n所述P型衬底中设有N型埋层和高压N阱，且高压N阱位于N型埋层上方；/n所述高压N阱内从左至右依次设有第一P阱、N阱和第二P阱，且N阱左右两端紧贴第一P阱、第二P阱；/n所述第一P阱中从左至右设有第一P+注入区、第一N+注入区；/n所述第一P阱与N阱之间横跨有第一硼离子注入区；/n所述N阱与第二P阱之间横跨有第二硼离子注入区；/n所述N阱的表面设有第一多晶硅假栅，第一多晶硅假栅左侧与第一硼离子注入区右侧接触，第一多晶硅假栅右侧与第二硼离子注入区左侧接触；/n所述第二P阱中从左至右设有第二N+注入区、第二P+注入区；/n所述第一硼离子注入区、第一多晶硅假栅、第二硼离子注入区构成多晶硅假栅深阱硼离子结构，多晶硅假栅深阱硼离子结构使正反方向ESD脉冲应力在N型埋层内泄放。/n