[发明专利]晶圆边缘修剪方法在审
| 申请号： | 201810869659.9 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109037036A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张永恩;王海宽;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆边缘修剪方法，所述方法包括：提供待修剪晶圆，所述待修剪晶圆包括中心区以及环绕所述中心区的边缘区；涂覆保护层，所述保护层至少覆盖所述待修剪晶圆的边缘区；自涂覆有所述保护层的一侧对所述待修剪晶圆进行边缘研磨修剪，且边缘研磨修剪时的研磨线落入所述边缘区；去除所述保护层。本发明方案可以降低产生颗粒剥落的可能性，有助于提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 修剪 晶圆 保护层 边缘区 边缘研磨 中心区 涂覆保护层 晶圆边缘 研磨 圆边缘 良率 涂覆 种晶 剥落 去除 环绕 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆边缘修剪方法，其特征在于，包括：提供待修剪晶圆，所述待修剪晶圆包括中心区以及环绕所述中心区的边缘区；涂覆保护层，所述保护层至少覆盖所述待修剪晶圆的边缘区；自涂覆有所述保护层的一侧对所述待修剪晶圆进行边缘研磨修剪，且边缘研磨修剪时的研磨线落入所述边缘区；去除所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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