[发明专利]一种单片机多个固件分散烧录方法在审
申请号: | 201810864933.3 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109271174A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 刘军;谭晨曦 | 申请(专利权)人: | 广州市星翼电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F8/61 | 分类号: | G06F8/61 |
代理公司: | 广州三辰专利事务所(普通合伙) 44227 | 代理人: | 吴清瑕 |
地址: | 510540 广东省广州市白云区北太路163*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于单片机烧录技术领域,具体涉及一种单片机多个固件分散烧录方法。针对STM32/GD32系列单片机多个固件的烧录方法进行有效改善,使用ARM公司SWD协议对STM32/GD32系列芯片烧录时能够从任意合法的FLASH地址开始烧录,因此在对多个固件的烧录时,将各个固件分散烧录FLASH到指定区域。提升生产基于STM32/GD32系列单片机的产品的烧录速度,节省生产时烧录所需的时间,降低时间成本,提高生产力;使得用户能够简化对需烧录的固件的操作步骤,同时可以进行灵活配置。 | ||
搜索关键词: | 烧录 单片机 灵活配置 时间成本 芯片烧录 生产 生产力 合法 | ||
【主权项】:
1.一种单片机多个固件分散烧录方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)用户指定需要烧录的各个用户固件及其起始烧录地址;(2)分别根据用户指定各个用户固件的大小得出相应替换固件存储区间的大小,然后分别为各个固件擦除相应的FLASH区间;(3)按照各个用户固件的起始烧录地址,将各个用户固件分别烧录到相应的FLASH区间;步骤(3)中所述烧录步骤为:A:将其中一个用户固件的起始烧录地址设为当前烧录地址,分析用当前烧录地址是否相对于FLASH基地址按照4K对齐,若当前烧录到地址没有按照4K对齐,计算出将用户固件按照4K对齐后、当前烧录地址到4K对齐的地址中间的字节数N,烧录N个字节数据到当前烧录地址起的FLASH区间,当前烧录地址自增N,用户固件数据偏移量自增N,以使下一次烧录操作能将待烧录的数据烧录到正确的FLASH区间。若当前烧录地址按照4K对齐,直接烧录4K数据到当前烧录地址起的FLASH区间,接着对当前烧录地址进行自增4K的操作;B:分析剩余未烧录到目标芯片FLASH区间的固件数据字节数目是否少于4K字节,若多于4K字节,则从剩余用户固件数据取前4K直接烧录起始烧录地址起的FLASH区间,接着对当前烧录地址进行自增4K的操作;C:重复第(2)步,直到剩余未烧录到目标芯片FLASH区间的固件数据字节数目少于4K字节,此时判断未烧录到目标芯片FLASH区间的固件数据字节数目是否多于0字节,若多于0字节,则将未烧录的用户固件数据尽数烧录到当前烧录地址所在的FLASH区间;D:重复第(1)~(3)步,直到将用户的所有固件都烧录到指定的FLASH区间,完成对芯片的烧录。
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