[发明专利]超宽带可变增益混频器在审
申请号: | 201810861227.3 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109150112A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 刘洋;刘祎鹤;孙明远;刘爽;秦及贺 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03D7/14 | 分类号: | H03D7/14;H03F3/45;H03F3/193 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邹裕蓉 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种超宽带可变增益混频器,属于混频器技术领域。本发明包括:放大级模块,用以放大射频输入信号以及实现良好的输入匹配;有源混频器电路,用以实现射频信号与本振信号的混频。本发明实现了射频信号的输入阻抗匹配,并可以通过控制电压控制负载,从而改变放大级电路增益的预放大级电路;形成带有负反馈电感,可以补偿电路寄生电容并改善混频器线性度的功耗较低的有源混频器电路。 | ||
搜索关键词: | 可变增益混频器 混频器电路 射频信号 超宽带 混频器线性度 射频输入信号 输入阻抗匹配 预放大级电路 放大级电路 负反馈电感 本振信号 补偿电路 寄生电容 控制电压 控制负载 输入匹配 放大级 混频器 功耗 混频 放大 | ||
【主权项】:
1.一种超宽带可变增益混频器,其特征在于,包括放大级模块和有源混频模块;放大级模块采用差分共栅极连接形式,由NMOS放大对管MN1、MN2,PMOS对管MP1、MP2,负载电阻RP1、RP2和电感L1、L2构成;外部电压VB1为NMOS放大对管MN1、MN2提供栅电压,放大对管MN1、MN2的源级耦接到电感L1、L2并接地;PMOS对管MP1、MP2分别与电阻RP1、RP2并联作为共栅级放大电路的负载耦接到NMOS放大对管MN1、MN2的漏级;PMOS对管MP1、MP2的栅极电压由控制电压VC提供,源极连接电压VDD;射频输入信号RF+、RF‑由NMOS放大对管MN1、MN2的源级输入,经差分共栅极放大电路放大后,通过电容耦接到有源混频器模块的输入端;有源混频模块采用吉尔伯特双平衡混频器电路结构,由NMOS对管MN3~MN8、负载电阻RL1、RL2和电感L3、L4构成;放大级模块的输出电压与偏置电压VB2耦合,并耦接到NMOS对管MN3、MN4的栅极;NMOS对管MN3、MN4的源极接地;本振信号LO+、LO‑分别耦接到NMOS对管MN5、MN8和MN6、MN7的栅极;负反馈电感L3、L4的两端分别连接NMOS对管MN5~MN8的源级和NMOS对管MN3、MN4的漏极;MN5、MN8的漏极分别通过负载电阻RL1、RL2与电压VDD相连;NMOS管MN6、MN7的漏级输出混频后的信号。
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