[发明专利]检查基板的系统和方法及使用其制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201810843480.6 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109309021B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 安正浩;吴在晚;李成实;梁裕信;任东哲;赵炯奭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了检查基板的系统和方法及使用其制造半导体器件的方法。一种基板检查系统包括:基板支撑件;光学器件,配置为照射基板上的图案化结构以及从由图案化结构反射的光捕获图案化结构的图像;焦点调整装置,操作为调整入射光在图案化结构上的焦点位置;图像处理器,配置为计算焦点偏移的最佳值,以确定用于图案化结构中的缺陷检测的光的焦点。图案化结构可以包括具有开口的第一图案以及具有相对于基板位于不同高度处的顶表面的第二图案。焦点偏移值采用在改变入射光的焦点位置的同时获得的第二图案的顶表面的图像来确定。 | ||
搜索关键词: | 检查 系统 方法 使用 制造 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体器件的质量控制的检查方法,包括:确定最佳焦点偏移值;用基于所述最佳焦点偏移值聚焦的入射光照射基板上的分层结构,所述分层结构包括具有顶表面和其中的开口的第一图案以及相对于所述基板的顶表面具有位于不同高度处的顶表面的第二图案,所述开口从所述第一图案的所述顶表面在垂直于所述基板的顶表面的方向上延伸;作为照射所述分层结构的结果,从由所述分层结构反射的光捕获所述分层结构的图像;以及采用所述分层结构的所捕获的图像检测所述分层结构中的缺陷,其中所述最佳焦点偏移值的确定包括:在改变所述入射光的焦点位置的同时捕获焦点偏移图像,每个焦点偏移图像是所述分层结构的包括所述第二图案的所述顶表面的区域的图像,从而在所述入射光的不同焦点位置捕获所述焦点偏移图像;以及采用所述焦点偏移图像计算所述最佳焦点偏移值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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