[发明专利]一种偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法

摘要

一种偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法。制备的肩部Ⅰ与肩部Ⅱ不等宽，使脊型结构不在位于芯片的正中间，在较宽的肩部Ⅱ上可以有充裕的空间先设置好金丝焊线位置图形，后其在金丝焊线位置图形上进行金丝打线就有效避免了损伤管芯的情况发生，有效避免金丝打线时造成管芯坏死或者失效的情况发生。同时由于在脊型结构上制备了电流注入窗口，即标记了出光面，便于后续封装。由于在较宽的肩部Ⅱ中制备出沟槽Ⅱ，从而避免了由于肩部Ⅱ相对肩部Ⅰ较宽导致电流注入时候不均匀的情况。由于在激光器芯片表面除去金丝焊线位置图形之外的区域生长一层介质膜Ⅱ，因此可以保护芯片不被损伤。

主权项

1.一种偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法，该半导体激光器的衬底及外延层（1）从下至上依次包括衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层及欧姆接触层，其特征在于，包括如下步骤：/na)利用光刻掩膜版通过曝光、显影及腐蚀的工序在衬底及外延层（1）上刻蚀出两个沟槽Ⅰ（5），两个沟槽Ⅰ（5）之间形成凸起的脊型结构（4），两个沟槽Ⅰ（5）的外侧分别形成肩部Ⅰ（2）和肩部Ⅱ（3），所述肩部Ⅱ（3）的宽度大于肩部Ⅰ（2）的宽度；/nb)利用光刻掩膜版通过曝光、显影及腐蚀的工序在肩部Ⅱ（3）中刻蚀出沟槽Ⅱ（8），沟槽Ⅱ（8）将肩部Ⅱ（3）分割成左右两部分，位于内侧的分割后的肩部Ⅱ（3）的宽度与脊型结构（4）的宽度相匹配；/nc)在肩部Ⅰ（2）、脊型结构（4）以及肩部Ⅱ（3）的外表面生长介质膜Ⅰ（6），在脊型结构（4）上端面的介质膜Ⅰ（6）上通过光刻机腐蚀工艺制备出电流注入窗口（10）；/nd)在介质膜Ⅰ（6）的表面生长P面电极（7）；/ne)在沟槽Ⅱ（8）两侧的肩部Ⅱ（3）的上端面上制备金丝焊线位置图形（9），将金丝焊线位置图形（9）作为金丝打线的位置；/nf)在P面电极（7）上表面上除金丝焊线位置图形（9）之外的区域生长一层介质膜Ⅱ（11）。/n