[发明专利]光半导体的制造方法、光半导体及氢制造器件在审
| 申请号： | 201810839123.2 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109382126A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 村濑英昭;万家美纱 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/02;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王磊;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供与现有制造方法相比，可以安全并且简便、以更高生产能力制造包含过渡金属和氮元素的光半导体的光半导体的制造方法。本公开的光半导体的制造方法具备下述工序：用等离子体对含有至少1种过渡金属的金属基材进行处理，从而由上述金属基材的至少一部分获得含有上述过渡金属和氮元素的上述光半导体的工序，所述处理在比大气压低的压力下，并且在比上述压力气氛下的上述过渡金属的挥发温度低的温度条件下进行。其中，上述等离子体通过在第1电极和第2电极之间对气体施加30MHz以上300MHz以下的频带的高频电压而产生，并且上述气体是(i)氮气、(ii)由氮气和氧气构成的混合气体、(iii)由氮气和稀有气体构成的混合气体、或(iv)由氮气、氧气和稀有气体构成的混合气体之中的任一种。 | ||
| 搜索关键词： | 光半导体 氮气 过渡金属 混合气体 制造 等离子体 金属基材 稀有气体 氮元素 电极 氧气 高频电压 温度条件 压力气氛 挥发 施加 生产能力 安全 | ||
【主权项】：
1.一种制造光半导体的方法，具备下述工序：用等离子体对含有至少1种过渡金属的金属基材进行处理，从而由所述金属基材的至少一部分获得含有所述过渡金属和氮元素的所述光半导体，所述处理在比大气压低的压力下，并且在比所述压力气氛下的所述过渡金属的挥发温度低的温度条件下进行，其中，所述等离子体通过在第1电极和第2电极之间对气体施加30MHz以上300MHz以下的频带的高频电压来产生，并且所述气体是以下(i)～(iv)之中的任一种，(i)氮气、(ii)由氮气和氧气构成的混合气体、(iii)由氮气和稀有气体构成的混合气体、或(iv)由氮气、氧气和稀有气体构成的混合气体。
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