[发明专利]具有在场电极和源极电极之间的整流器元件的晶体管器件

摘要

公开的是一种晶体管器件。该晶体管器件包括：在半导体主体中，漂移区、邻接该漂移区的主体区、以及通过主体区与漂移区分开的源极区；通过栅极电介质与主体区介电绝缘的栅极电极；电气连接至源极区的源极电极；通过场电极电介质与漂移区介电绝缘的至少一个场电极；以及耦合在源极电极和场电极之间的整流器元件。该场电极和场电极电介质被布置在从半导体主体的第一表面延伸至半导体主体中的第一沟槽中，以及该整流器元件被集成在第一沟槽中在邻近源极区和主体区中的至少一个的整流器区中。

主权项

1.一种晶体管器件，包括：在半导体主体（100）中，漂移区（11）、邻接该漂移区（11）的主体区（12）、以及通过主体区（12）与漂移区（11）分开的源极区（13）；通过栅极电介质（22）与主体区（12）介电绝缘的栅极电极（21）；电气连接至源极区（13）的源极电极（41）；通过场电极电介质（32）与漂移区（11）介电绝缘的至少一个场电极（31）；以及耦合在源极电极（41）和场电极（31）之间的整流器元件（5），其中该场电极（31）和场电极电介质（32）被布置在从半导体主体（100）的第一表面（101）延伸至半导体主体（100）中的第一沟槽中，以及其中将整流器元件（5）集成在第一沟槽中在邻近源极区（13）和主体区（12）中的至少一个的整流器区（110）中。