[发明专利]基于雪崩光电二极管阵列芯片的大动态范围弱光探测系统有效
| 申请号： | 201810830552.3 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109100018B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 邓仕杰;张文涛;苑立波 | 申请（专利权）人： | 传周半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01J1/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种基于雪崩光电二极管阵列芯片的大动态范围弱光探测系统。其特征是：系统是由偏压发生器模块201、偏压控制模块202、雪崩光电二极管阵列芯片203、光源204、和信号读出和处理系统205组成。本发明可广泛用于极微弱光测量如激光测距，DNA测序，量子密匙分配，激光雷达以及医学成像等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 雪崩 光电二极管 阵列 芯片 动态 范围 弱光 探测 系统 | ||
【主权项】：
1.一种基于雪崩光电二极管阵列芯片的大动态范围弱光探测系统。其特征是：它由偏压发生器模块1、偏压控制模块2、雪崩光电二极管阵列芯片3、光源4、和信号读出和处理系统5组成。所述系统中偏压发生器模块1产生高电压，并通过偏压控制模块2输出雪崩光电二极管阵列芯片3中各个光电二极管所需的反向偏置电压，偏压控制模块2有多个输出控制模块分别用于控制每个输出电压，其输出电压的数量与雪崩光电二极管阵列芯片3中雪崩光电二极管的数目相同；雪崩光电二极管阵列芯片3中的光电二极管被偏压控制模块2的输出电压偏置于不同的工作状态，用于探测从光源4发出的不同强度的入射光；雪崩光电二极管阵列芯片3中各个雪崩光电二极管的输出连接至信号读出和处理系统5，信号读出和处理系统5对雪崩光电二极管阵列芯片3中各个光电二极管的输出信号进行读出和处理，最后给出测量结果。
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