[发明专利]一种高电源抑制比耗尽基准电压源有效
| 申请号： | 201810827327.4 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108983858B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李宇;张洪俞;于圣武 | 申请（专利权）人： | 南京微盟电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 奚幼坚 |
| 地址： | 210042 江苏省南京市玄武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高电源抑制比耗尽基准电压源，包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M5，M6、M7和电阻R1以及电容C1，将耗尽型NMOS管M3产生的电流作用到增强型NMOS管M4上，产生增强管M4的V | ||
| 搜索关键词： | 高电源 抑制比 耗尽 耗尽型NMOS管 基准电压源 电源抑制比 软启动电路 电流作用 电压基准 基准电压 三级套筒 电容 增强管 增强型 电阻 两组 上电 | ||
【主权项】：
1.一种高电源抑制比耗尽基准电压源，其特征在于：包括基准电压源主体和软启动电路两部分：/n基准电压源主体部分包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M5，M6、M7和电阻R1以及电容C1，NMOS管M1、M2、M3、M5、M6及M7均为耗尽型晶体管；NMOS管M1的漏极连接电源VDD，NMOS管M1的源极连接NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的源极连接NMOS管M3的漏极和NMOS管M1的栅极，NMOS管M3的栅极与源极互连并与NMOS管M4的漏极、NMOS管M2的栅极、NMOS管M6的栅极以及NMOS管M7的栅极连接在一起，NMOS管M4的栅极连接电容C1的一端和电阻R1的一端以及NMOS管M7的源极并输出基准电压Vref，电容C1的另一端和NMOS管M4的源极均接地，NMOS管M5的源极连接NMOS管M6的漏极，NMOS管M5的栅极连接NMOS管M6的源极和NMOS管M7的漏极，NMOS管M1的衬底与NMOS管M2的衬底、NMOS管M3的衬底以及NMOS管M4的衬底连接在一起并接地，NMOS管M5的衬底与NMOS管M6的衬底以及NMOS管M7的衬底连接在一起并接地；/n软启动电路部分包括PMOS管M9、M10、M11、M13和M14，NMOS管M8和M12以及反相器INV1，PMOS管M9的源极和衬底、PMOS管M10的源极和衬底、PMOS管M11的源极和衬底、PMOS管M13的源极和衬底以及PMOS管M14的源极和衬底均连接电源VDD，PMOS管M11的栅极与漏极互连并连接PMOS管M10的栅极和偏置电流Ibias，PMOS管M10的漏极连接PMOS管M13的漏极、NMOS管M5的漏极、PMOS管M9的漏极和反相器INV1的输入端，反相器INV1的输出端连接PMOS管M9的栅极，PMOS管M13的栅极与PMOS管M14的栅极互连并连接M14的漏极和NMOS管M12的漏极，NMOS管M8的栅极与漏极互连并连接NMOS管M12的栅极和基准电压源主体部分中电阻R1的另一端，NMOS管M8的源极和衬底以及NMOS管M12的源极和衬底均接地。/n
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