[发明专利]金属氧化物半导体场效应管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810824923.7 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108962978A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 盛世瑶兰（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区桂*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述制造方法包括：提供第一导电类型的衬底，在衬底上依次生长第一导电类型的第一外延层和第二导电类型的第二外延层，在所述第一外延层和第二外延层之间还设置有隔离结构，从第二外延层表面刻蚀形成贯穿第二外延层且底部延伸至第一外延层内的沟槽，在沟槽内表面生成栅介质层并填充多晶硅，在所述沟槽两侧的第二外延层内分别形成第一导电类型的注入区。该金属氧化物半导体场效应管不同于传统金属氧化物半导体场效应管的结构，其避免了阱区受长时间高温横向扩散导致沟道长度不稳定的因素，提高可靠性；同时，新的结构还可以降低器件的导通电阻，提高开关速度，减少功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 金属氧化物半导体场效应管 第一导电类型 衬底 制造 半导体场效应管 传统金属氧化物 沟槽内表面 外延层表面 导电类型 导通电阻 隔离结构 横向扩散 降低器件 栅介质层 多晶硅 注入区 功耗 沟道 刻蚀 填充 阱区 生长 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底上表面的第一导电类型的第一外延层；形成在所述第一外延层上表面的第二导电类型的第二外延层；贯穿所述第二外延层且延伸至所述第一外延层的沟槽；形成于所述沟槽两侧的所述第二外延层内的第一导电类型的注入区；形成于所述第一外延层与所述第二外延层之间的隔离结构，所述隔离结构正对所述注入区，且所述注入区在所述第一外延层表面形成的垂直投影区域与所述隔离结构所在区域重合或者被包含在所述隔离结构所在区域内；生长在所述沟槽内表面的栅介质层及填充在生长有所述栅介质层的沟槽内的多晶硅；与所述多晶硅连接的栅极金属层；与所述注入区连接的源极金属层；与所述衬底的下表面连接的漏极金属层。
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