[发明专利]半导体改性的TiO2

摘要

本发明涉及一种半导体改性的TiO2纳米管阵列复合材料及其制备方法，其中，方法包括如下步骤：步骤一、采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列；步骤二、将镉源、铅源和硫源分别溶于醇类溶剂中得到镉源前驱体溶液、铅源前驱体溶液和硫源前驱体溶液；步骤三、利用超声辅助进行连续离子层沉降在TiO2纳米管阵列的内壁和外壁同时形成均匀的CdS颗粒和PbS颗粒，再经热处理后得到半导体改性的TiO2纳米管阵列复合材料。本发明制得的CdS/PbS/TiO2纳米管阵列复合材料中在纳米管的内外壁上能够形成大面积均匀的CdS和PbS颗粒，大大增强了该复合材料对太阳光的利用率。同时方法简单、过程易于操控且材料复合均匀。

主权项

1.一种半导体改性的TiO2纳米管阵列复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列；步骤二、将镉源、铅源和硫源分别溶于醇类溶剂中得到镉源前驱体溶液、铅源前驱体溶液和硫源前驱体溶液；其中，所述镉源前驱体溶液的浓度、铅源前驱体溶液的浓度和硫源前驱体溶液的浓度均为0.005～0.2mol/L；步骤三、利用超声辅助进行连续离子层沉降在所述TiO2纳米管阵列的内壁和外壁同时形成均匀的CdS颗粒和PbS颗粒，再经热处理后得到所述半导体改性的TiO2纳米管阵列复合材料；其中，在步骤三中，所述热处理的温度为280～400℃，所述热处理时的升温速率为1～4℃/min，所述热处理的时间为0.5～3h。