[发明专利]一种CdS/TiO2

摘要

本发明涉及一种CdS/TiO2纳米管阵列异质结及其制备方法，其中，方法包括如下步骤：S1、制备TiO2纳米管阵列。S2、配制镉源前驱体溶液和硫源前驱体溶液。S3、利用超声辅助进行连续离子层沉降在TiO2纳米管阵列的内壁和外壁形成均匀的CdS颗粒，再经热处理后得到CdS/TiO2纳米管阵列异质结。本发明的制备方法能够解决现有技术中半导体颗粒难以进入TiO2纳米管的内部并无法在纳米管的内外壁上形成大面积异质结的问题，且方法简单、过程易于操控、材料复合均匀。制得的CdS/TiO2纳米管阵列异质结中在纳米管的内外壁上能够形成大面积均匀的CdS颗粒，大大增强了该复合材料对太阳光的利用率。

主权项

1.一种CdS/TiO2纳米管阵列异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列；S2、将镉源和硫源分别溶于醇类溶剂中得到镉源前驱体溶液和硫源前驱体溶液；S3、利用超声辅助进行连续离子层沉降在所述TiO2纳米管阵列的内壁和外壁形成均匀的CdS颗粒，再经热处理后得到所述CdS/TiO2纳米管阵列异质结。