[发明专利]一种纳米棒阵列异质结结构紫外光探测器的制备方法有效
| 申请号: | 201810818754.6 | 申请日: | 2018-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN109119511B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
| 发明(设计)人: | 郑文姬;董雅楠;贺高红;焉晓明;代岩 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 温福雪;侯明远 |
| 地址: | 124221 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: |
本发明公开了一种纳米棒阵列异质结结构紫外光探测器的制备方法,属于半导体光电探测技术领域。本发明首先水热合成了有序排列的SnO |
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| 搜索关键词: | 一种 纳米 阵列 异质结 结构 紫外光 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氧化锡‑氧化锌纳米棒阵列异质结结构紫外光探测器的制备方法,其特征在于,步骤如下:在FTO导电玻璃上旋涂氧化锡晶种层,水热法在其上生长有序排列的SnO2纳米棒阵列,水热法在SnO2纳米棒阵列表面上生长有序排列的ZnO纳米棒阵列,构成异质结结构;SnO2纳米棒阵列的直径为8.93~62.50nm,长度为127.5~553.1nm;ZnO纳米棒阵列的直径为53.55~129.7nm,长度为0.872~3.19μm。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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