[发明专利]利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构及方法

摘要

本发明公开一种利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构及方法，包含片上变压器耦合输入网络、晶体管放大器电路、输出网络、控制及偏置产生电路和包络检测电路；晶体管放大器电路分别与片上变压器耦合输入网络及输出网络连接；晶体管放大器电路设有电容电感并联谐振回路，电容电感并联谐振回路中并联的电容和可调电感；包络检测电路与控制及偏置产生电路连接，检测输入网络或输出网络的射频信号的包络信号，产生所需的偏置信号和可调电感的控制信号。本发明通过采用并联可调LC回路的办法，实现动态可调的低阻偏置回路改善AM‑AM非线性、可调电感消除AM‑PM非线性；方便地用在多级放大器级间匹配和阻抗变换网络中，便于多级射频功放级联实现。

主权项

1.一种利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构，其特征在于， 该电路结构包含单级晶体管放大器电路、控制及偏置产生电路和包络检测电路；所述晶体管放大器电路输入端与片上变压器耦合输入网络连接，所述晶体管放大器电路输出端与天线及阻抗变换网络连接，所述包络检测电路与所述控制及偏置产生电路连接； 其中，所述单级晶体管放大器电路设置为单端输入单端输出共源‑共栅放大器电路，包含可调电感、第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第一电阻、耦合电容、第一电感和接地的第一旁路电容； 所述耦合电容设置在所述单级晶体管放大器电路输入端； 所述可调电感的第一端分别与所述第一旁路电容和所述第一电阻连接，所述可调电感的第二端与所述第一MOS晶体管的栅极连接，所述第一MOS晶体管的源极接地以及漏极与所述第二MOS晶体管的源极连接，所述第二MOS晶体管的栅极与直流电源连接，所述第一电感的一端与所述第二MOS晶体管的漏极连接，另一端与直流电源连接。