[发明专利]半导体制作方法

摘要

提供一种半导体制作方法，其包括：提供一装置结构，其具有隔离结构、与隔离结构相邻的鳍状物、鳍状物与隔离结构上的多个栅极结构；该装置结构还具有位于隔离结构与鳍状物之上以及栅极结构之间的一个或多个介电层、鳍状物上的第一接点孔、以及隔离结构上的第二接点孔。该方法还包括沉积一保护层并以等离子体处理该保护层，使第一接点孔中的保护层与第二接点孔中的保护层在蚀刻工艺中具有不同的蚀刻选择性；以及蚀刻保护层，以蚀刻穿过第一接点孔的下表面上的保护层，但不蚀刻穿过第二接点孔的下表面上的保护层。该方法能够避免在接点结构底部形成空洞，进而提高接点结构的使用可靠性。此外，该方法能够简化工艺，且易于整合至现有的半导体工艺中。

主权项

1.一种半导体制作方法，包括：提供一装置结构，该装置结构具有一隔离结构、与该隔离结构相邻的一鳍状物、以及该鳍状物与该隔离结构上的多个栅极结构；该装置结构还包括位于该隔离结构与该鳍状物之上以及所述多个栅极结构之间的一个或多个介电层、该鳍状物上的一第一接点孔、以及该隔离结构上的一第二接点孔；沉积一保护层，其至少覆盖该第一接点孔与该第二接点孔的下表面与侧壁表面；以等离子体处理该保护层，使该第一接点孔的下表面上的该保护层与该第二接点孔的下表面上的该保护层在一蚀刻工艺中具有不同的蚀刻选择性；以及对该保护层进行该蚀刻工艺，以蚀刻穿过该第一接点孔的下表面上的该保护层，但不蚀刻穿过该第二接点孔的下表面上的该保护层。