[发明专利]MEMS器件和用于MEMS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810805984.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109279569B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | M·菲尔德纳;S·巴曾;A·德厄;G·洛伦茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张鹏 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例，用于双膜MEMS器件300的制造方法100包括以下步骤：在载体衬底210上提供120层布置200，其中层布置200具有彼此间隔的第一膜结构220和第二膜结构230以及布置在其间的反电极结构240，其中在反电极结构240与分别与该反电极结构间隔的第一膜结构和第二膜结构之间的中间区域260中布置有牺牲材料250，并且其中第一膜结构220具有朝向具有牺牲材料250的中间区域260的开口结构270；从中间区域部分去除140牺牲材料250，以获得在第一膜结构和第二膜结构之间的具有牺牲材料250的机械连接结构280，机械连接结构机械耦合到第一膜结构和第二膜结构之间并且与反电极结构机械解耦。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双膜MEMS器件(300)的制造方法(100)，具有以下步骤：在载体衬底(210)上提供(120)层布置(200)，其中所述层布置(200)具有彼此间隔的第一膜结构(220)和第二膜结构(230)以及布置在其间的反电极结构(240)，其中在所述反电极结构(240)与分别与所述反电极结构间隔的所述第一膜结构(220)和所述第二膜结构(230)之间的中间区域(260)中布置有牺牲材料(250)，并且其中所述第一膜结构(220)具有朝向具有所述牺牲材料(250)的所述中间区域(260)的开口结构(270)，并且从所述中间区域(260)部分去除(140)所述牺牲材料(250)，以获得在所述第一膜结构(220)和所述第二膜结构(230)之间的具有所述牺牲材料(250)的机械连接结构(280)，所述机械连接结构机械耦合到所述第一膜结构(220)和所述第二膜结构(230)之间并且与所述反电极结构(240)机械解耦。
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